SIS435DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SIS435DNT-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.79 |
10+ | $0.693 |
100+ | $0.5313 |
500+ | $0.42 |
1000+ | $0.336 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 13A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 3.7W (Ta), 39W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 8 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Grundproduktnummer | SIS435 |
SIS435DNT-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIS435DNT-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
VISHAY DFN33
VISHAY DFN3.33.3-8-EP
VISHAY PowerPAK1212-8
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
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VISHAY QFN
MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
SiS436DN Vishay
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIS435DNT-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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